书目详细信息
： 硅中部分位错演化的分子模拟
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-5661-0939-2:CNY17.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 230000 |
| 题名责任者项： | 硅中部分位错演化的分子模拟/.王超营[等]著 |
| 出版发行项： | 哈尔滨:,哈尔滨工程大学出版社:,2014 |
| 载体形态项： | 89页:;+图:;+26cm |
| 提要文摘： | 本书以硅锗异质结构外延生长过程中产生的部分位错为研究背景，采用分子模拟方法研究硅中部分位错的运动特性以及与其他缺陷的相互作用。 |
| 题名主题： | 计算机模拟 应用 化合物半导体 |
| 中图分类： | TN304.2 |
| 个人名称等同： | 王超营 著 |
| 记录来源： | CN BKBB 20241011 |
